| 選定 | 供應商 | 型號 | 廠商/封裝 | 數量 | 批號 | 價格 | 說明/貨期/品質/優勢 | 詢價 |
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深圳市恒達億科技有限公司10年
留言
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IRSOP8 |
6000 |
23+ |
全新原裝現貨、誠信經營! |
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深圳市吉中創電子科技有限公司5年
留言
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INFINEONSOP-8 |
5000 |
2021 |
公司現貨原裝假一賠十 |
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深圳市坤融電子科技有限公司5年
留言
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IRSOIC-8 |
22364 |
22+ |
只做原裝進口 免費送樣!! |
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深圳市恒佳微電子有限公司8年
留言
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INFINEON |
10560 |
21+ |
十年專營,原裝現貨,假一賠十 |
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深圳市科恒偉業電子有限公司1年
留言
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INFINEOSOIC8 |
9850 |
21+ |
只做原裝正品假一賠十!正規渠道訂貨! |
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深圳市樂得芯科技有限公司2年
留言
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INFINEONN/A |
2992 |
兩年內 |
全新原裝進口,特價供應 |
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深圳市科恒偉業電子有限公司1年
留言
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IRSOP-8 |
9800 |
22+ |
只做原裝正品假一賠十!正規渠道訂貨! |
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深圳市科恒偉業電子有限公司10年
留言
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IORSOP8 |
9800 |
21+ |
只做原裝正品假一賠十!正規渠道訂貨! |
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深圳市億順芯科技有限公司5年
留言
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IR8-SOIC |
6000 |
20+原裝正品 |
大量現貨,免費發樣。 |
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深圳市科恒偉業電子有限公司1年
留言
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IRSOP8 |
6500 |
22+ |
只做原裝正品假一賠十!正規渠道訂貨! |
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深圳市鑫宇楊電子科技有限公司8年
留言
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INFINEONSOP |
50000 |
22+ |
100%公司原裝現貨,歡迎加Q微信咨詢 |
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中科航電（深圳）電子集團有限公司6年
留言
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INFINEON/英飛凌代理SO8 |
333834 |
23+ |
集團化配單-有更多數量-免費送樣-原包裝正品現貨-正規 |
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深圳市科恒偉業電子有限公司9年
留言
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IRSOP8 |
9850 |
21+ |
只做原裝正品假一賠十!正規渠道訂貨! |
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深圳兆威電子有限公司6年
留言
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IRSOP-8 |
90000 |
23+ |
只做原廠渠道價格優勢可提供技術支持 |
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深圳市向鴻偉業電子有限公司10年
留言
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INFINEONSOP-8 |
3626 |
20+ |
原裝庫存有訂單來談優勢 |
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東莞市萬芯半導體有限公司1年
留言
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INFINEON |
100000 |
代理渠道/只做原裝/可含稅 |
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深圳市華斯頓科技有限公司13年
留言
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IRSOP8 |
13397 |
22+23+ |
絕對原裝正品全新進口深圳現貨 |
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深圳市寶隆宏業科技有限公司6年
留言
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IRSOP8 |
5980 |
2021+ |
只做原裝,優勢渠道,可全系列訂貨開增值稅票 |
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深圳市賽特興科技有限公司2年
留言
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IRSOP8 |
4000 |
0714+ |
正規渠道,只有原裝! |
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芯特半導體（深圳）有限公司年
留言
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IOR?SOP-8? |
16800 |
2020+ |
絕對原裝進口現貨,假一賠十,價格優勢! |
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IRF7424PBF價格
IRF7424PBF價格：￥1.6489品牌：International
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更多IRF742制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk
IRF7420功能描述:MOSFET P-CH 12V 11.5A 8-SOIC RoHS:否 類別:分離式半導體產品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C:18A 開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件
IRF7420HR制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET P-CH 20V 11.5A 8-Pin SOIC
IRF7420PBF功能描述:MOSFET 1 P-CH -12V HEXFET 14mOhms 38nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF7420TR功能描述:MOSFET P-CH 12V 11.5A 8-SOIC RoHS:否 類別:分離式半導體產品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C:18A 開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件
IRF7420TRPBF功能描述:MOSFET MOSFT PCh -12V -11.5A 14mOhm 38nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF7421D1功能描述:MOSFET N-CH 30V 5.8A 8-SOIC RoHS:否 類別:分離式半導體產品 >> FET - 單 系列:FETKY™ 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C:18A 開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件
IRF7421D1_98制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:MOSFET / Schottky Diode
IRF7421D1PBF功能描述:MOSFET 20V DUAL N-CH HEXFET 35mOhms 18nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF7421D1TR功能描述:MOSFET N-CH 30V 5.8A 8-SOIC RoHS:否 類別:分離式半導體產品 >> FET - 單 系列:FETKY™ 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C:18A 開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件
