型號AD6643BCPZ-200庫存搜索
詳情ADI渠道原裝正品
- 數量
750
- 品牌
ADI
- 批號
22+
- 封裝
- 供應商
詳情FET類型N通道 技術MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss)80V 25°C時電流-連續漏極(Id)49A(Tc) 驅動電壓6V,10V 不同Id、Vgs時導通電阻11.7毫歐@25A,10V 不同Id時Vgs(th)3.8V@22μA 不同Vgs時柵極電荷?(Qg)18nC@10V Vgs±20V 不同Vds時輸入電容(Ciss)13
1848
INFINEON
2228
標準封裝
詳情產品狀態在售 晶體管類型NPN 電流-集電極(Ic)500mA 電壓-集射極擊穿45V 不同?Ib、Ic時?Vce飽和壓降700mV@50mA,500mA 電流-集電極截止100nA(ICBO) 不同?Ic、Vce?時DC電流增益(hFE)250@100mA,1V 功率300mW 頻率-躍遷100MHz 工作溫度-65°C~150°C(TJ) 安裝類型
5000
ON SEMICONDUCTOR
2304
SOT-23-3
詳情晶體管類型NPN 電壓-集射極擊穿5V 頻率-躍遷24GHz 噪聲系數1.25dB@1.8GHz 增益15.5dB 功率450mW 不同?Ic、Vce?時DC電流增益(hFE)60@50mA,4V 電流-集電極(Ic)100mA 工作溫度150°C(TJ) 安裝類型表面貼裝型 封裝/外殼SC-82A,SOT-343 供應商器件封裝PG-SOT343-3D 基本產品編號
11088
INFINEON
23+
Reel
詳情晶體管類型PNP 電流-集電極(Ic)600mA 電壓-集射極擊穿60V 不同?Ib、Ic時?Vce飽和壓降1.6V@50mA,500mA 電流-集電極截止10nA(ICBO) 不同?Ic、Vce?時DC電流增益100@150mA,10V 功率300mW 頻率-躍遷200MHz 工作溫度-55°C~150°C(TJ) 安裝類型表面貼裝型 封裝/外殼TO
17000
ON SEMICONDUCTOR
2319
SOT-23
詳情分立半導體產品單雙極晶體管MMBTA05LT1G東莞倉原裝全新現貨品質保證 晶體管類型NPN 電流-集電極(Ic)500mA 電壓-集射極擊穿60V 不同?Ib、Ic時?Vce飽和壓降250mV@10mA,100mA 電流-集電極截止100nA 不同?Ic、Vce?時DC電流增益(hFE100@100mA,1V 功率-最大值225mW 頻率-
3000
ON SEMICONDUCTOR
2244
SOT-23
詳情制造商 ONSemiconductor 制造商零件編號 FGH60N60SFDTU 描述 IGBT600V120A378WTO247 對無鉛要求的達標情況/對限制有害物質指令(RoHS)規范的達標情況無鉛/符合限制有害物質指令(RoHS3)規范要求 濕氣敏感性等級(MSL)1(無限) 詳細描述IGBT-場截止-600V-120A-378W-通孔-TO-247-3 一般信息 標準包裝
3000
ON
21+
TO-247
詳情類別:分立半導體產品晶體管-FET,MOSFET-單個 制造商:NXPUSAInc. FET類型:N通道 技術:MOSFET(金屬氧化物) 25°C時電流-連續漏極(Id):3.5A(Ta) 驅動電壓(最大RdsOn,最小RdsOn):10V 不同Id、Vgs時導通電阻(最大值):80毫歐@5A,10V 不同I
18000
NXP/恩智浦
22+
SOT223
詳情制造商:DiodesIncorporated 產品種類:低壓差穩壓器 RoHS:詳細信息 安裝風格:SMD/SMT 封裝/箱體:SOT-23-5 輸出電壓:3.3V 輸出電流:300mA 輸出端數量:1Output 極性:Positive 最大輸入電壓:13.2V 最小輸入電壓:2.5V 輸出類型:Fixed 最小工作溫度:-40C 最大工作溫度:+125C 回動電壓:5
20000
DIODES/美臺
22+
SOT23-5
詳情東莞倉原裝全新現貨品質保證歡迎拿單來砸MMBT3904LT1G晶體管-雙極(BJT)-單NPN表面貼裝型SOT-23-3(TO-236) 晶體管類型NPN 電流-集電極(Ic)200mA 電壓-集射極擊穿40V 不同?Ib、Ic時?Vce飽和壓降300mV@5mA,50mA 電流-集電極截止- 不同?Ic、Vce?時DC電流增益(hFE)10
7500
ON SEMICONDUCTOR
2306
SOT-23